在加利福尼亚州圣何塞举办的2024年三星晶圆代工论坛年度博览会上，三星公布了最新的半导体芯片工艺路线图，宣布将在2025年量产2nm芯片，并计划在2027年量产1.4nm芯片。
三星的2nm工艺布局了多个节点，第一代2nm工艺SF2将于明年准备就绪，最先进的2nm工艺节点SF2Z将于2027年量产商用。这些节点包括：
- SF2（第一代）
- SF2P
- SF2X
- SF2A
- SF2Z
其中，SF2Z采用先进的后端供电网络（BSPDN）技术，可以提高电源效率。
技术细节与优势
三星2nm工艺进一步完善了多桥-通道场效应晶体管（MBCFET）架构，具有独特的外延和集成工艺。相比于基于FinFET的工艺技术，MBCFET架构的晶体管性能提升了11%-46%，可变性降低26%，同时漏电降低约50%。
在今年2月，三星宣布与Arm展开合作，提供基于最新的GAA晶体管技术，优化下一代Arm Cortex-X/Cortex-A CPU内核，以最大限度地提高性能和效率。这一合作旨在进一步巩固三星在先进半导体工艺技术领域的领先地位。
三星在论坛上表示，2nm工艺的量产将为各类高性能计算、人工智能和移动设备提供更强大的处理能力和更高的能效。通过不断创新和技术突破，三星致力于为全球客户提供最先进的半导体解决方案。
三星在半导体工艺技术上的最新进展展示了其在全球市场中的竞争力和创新能力。通过推出2nm和未来的1.4nm工艺，三星不仅将推动整个行业的发展，还将为下一个技术时代奠定坚实的基础。随着这些先进工艺的量产，消费者和企业将能够享受到更强大、更高效的电子设备，推动各行业的技术进步。
