Intel正在加速其先进制程技术的开发，力图在2025年及以后稳定保持行业领先地位。作为半导体行业的重要竞争者，Intel通过“四年五个制程节点”的战略计划，迅速追赶并希望超越台积电等竞争对手。
目前，Intel已经成功量产了Intel 7工艺，并在最新的技术如Intel 4和Intel 3中采用了EUV（极紫外光刻）技术。特别是Intel 3工艺，预计将应用于今年将发布的服务器产品Sierra Forest和Granite Rapids，其中Sierra Forest将采用纯E核设计，并提供最多288个核心。
接下来，Intel将推出20A（2nm级）和18A（1.8nm级）工艺节点，继续使用EUV技术，并引入RibbonFET全环绕栅极晶体管技术与PowerVia背面供电技术，进一步提升性能和效率。
至关重要的是，Intel在制程技术上的下一个大跳跃将是14A工艺，这是一种1.4nm级别的先进制程，预计将采用更高数值孔径的High NA EUV光刻技术。这种技术通过提高光学系统的分辨率，使得晶体管能够实现更进一步的微缩，从而提高芯片性能和减少能耗。
为了支持这一技术的实现，Intel不仅在光刻技术上进行创新，还在开发新的晶体管结构和改进制造工艺，例如通过PowerVia技术优化芯片的内部电源布线，简化制程流程。
此外，Intel还计划推出Intel 3、Intel 18A和Intel 14A的多个演化版本，以适应不同市场和客户的特定需求，从而更好地服务于其宽广的客户基础。
通过这些举措，Intel展示了其在全球半导体产业中维持技术领先的决心和能力，力图在未来几年内确立其在高端制程技术上的竞争优势。
