在湖北省的九峰山实验室与华中科技大学的共同努力下，一个由两校组成的联合研究团队已经成功完成了一项关于先进光刻胶技术的重要验证。这项技术，名为“双非离子型光酸协同增强响应的化学放大光刻胶”，通过精巧的化学结构设计，利用两种光敏单元实现了出色的光刻效果，展现了线边缘的极低粗糙度和space图案的高标准正态分布（SD值仅约0.05），性能上超越了市场上大部分现有光刻胶产品。
该技术不仅保证了光刻显影各个阶段的高效率，满足了半导体大规模生产对于生产吞吐量和效率的严格要求，还为光刻胶行业带来了新的突破，尤其是在极紫外光（EUV）光刻胶的研发领域。
随着半导体制造工艺进步至100nm乃至更低水平，实现高分辨率和优良截面形态的光刻图形成为了业界面临的一大挑战。本次研究成果不仅展示了解决这一挑战的可能性，还为EUV光刻胶的进一步研发奠定了坚实的技术基础。
这一具有自主知识产权的光刻胶技术已经在产线上完成了初步的工艺验证，并且在技术指标检测与优化方面也取得了显著成效，标志着从技术研发到成果应用全过程的成功贯通。此次成果不仅对半导体制造领域具有重要意义，也为中国在高端制造技术研发领域的进步再添一笔。
