华中科技大学武汉光电国家研究中心团队近期在光刻胶研发方面取得重大突破，成功合成了完全国产化的T150A光刻胶。该产品已通过半导体工艺量产验证，成为我国首款原材料全国产、配方自主设计的光刻胶，标志着国内在芯片制造关键材料领域实现突破。
光刻胶是芯片制造中不可或缺的感光材料，而目前国内九成以上的光刻胶依赖进口。T150A光刻胶不仅具备更高的分辨率和稳定性，其刻蚀工艺表现和侧壁垂直度均优于国外同类产品，达到国际先进水平。团队表示，未来将进一步研发适用于不同应用场景的光刻胶，持续推进核心技术的国产化，助力国内半导体行业打破“卡脖子”困境。
