据媒体报道，台积电（TSMC）在2nm制程节点取得重大技术突破，并将引入全新的Gate-all-around FETs（GAAFET）晶体管技术，同时结合NanoFlex技术，赋予芯片设计更多的灵活性。与当前的N3E工艺相比，N2工艺在相同功耗下的性能提升可达10%至15%，或者在相同性能下将功耗降低25%至30%，晶体管密度也将提升15%。
然而，伴随技术升级的是显著的成本上涨。每片300mm的2nm晶圆价格预计将超过3万美元，相较当前3nm晶圆的1.85万至2万美元区间，涨幅明显。4/5nm晶圆的价格则在1.5至1.6万美元之间，这意味着2nm晶圆的成本几乎是4/5nm的两倍。
面对市场对2nm工艺技术的高需求，台积电正加大投资力度，计划在中国台湾北部、中部和南部的多个地区布局2nm晶圆厂，确保产能能够满足未来需求。该工艺还将采用更多EUV光刻步骤，甚至可能引入双重曝光技术，这进一步推高了生产成本。
台积电计划于2025年下半年实现2nm工艺的量产，预计2026年客户将能收到首批基于N2工艺的芯片。首批采用这一先进技术的客户，可能会是科技巨头苹果。
