据报道，俄罗斯工业和贸易部制定了一项到2030年实现电子产品生产设备进口替代的计划，目标是在2030年实现65nm半导体技术的国产化，并替代70%的外国半导体制造设备和材料。
为支持这一目标，俄罗斯政府已投入2400亿卢布（约合25.4亿美元），启动110个研发项目，旨在减少对进口晶圆制造工具的依赖，最终希望达到使用28nm工艺技术制造芯片的能力。
目前，俄罗斯的芯片制造商如Angstrem和Mikron仍在65nm或90nm等成熟节点徘徊，国内设备制造能力仅能满足12%的需求。由于西方制裁，俄罗斯获取半导体设备的成本增加了40%-50%，主要通过走私渠道获得所需设备。
为了减少对外国供应链的依赖，俄罗斯计划开发覆盖芯片制造、原材料和设计工具的全套国产替代品。该项目还将推动20条技术路线的开发，涵盖从180nm到28nm的微电子、光子学和电力电子领域，目标是在2030年实现65nm制程的国产光刻系统。
尽管该计划将大幅提升俄罗斯的微电子生产能力，但与全球领先水平仍有显著差距，落后约25至28年。
