据媒体报道，在面对美国出口限制及被列入实体清单的压力下，长江存储已成功用国产半导体设备替代部分美系设备，顺利制造出3D NAND闪存芯片。
长江存储自主研发的Xtacking架构，能够将3D NAND芯片的堆叠层数提高到232层，具备与美光、三星、SK海力士等国际大厂竞争的能力。此次国产设备的成功替代，标志着中国半导体产业在设备自主化方面取得了重大进展。
据悉，长江存储此次采用了中微半导体、北方华创、拓荆科技等国内厂商的蚀刻和沉积设备，尽管目前仍依赖ASML和泛林集团等外国企业提供关键设备，但国产设备在生产流程中已占据越来越重要的地位。
不过，最新国产设备制造的NAND芯片在层数上有所调整，相较早期产品减少了约70层，且产量相对较低。对此，长江存储表示，层数的变化与设备本身无关，公司将继续优化工艺流程和产品性能，未来随着经验积累和技术成熟，堆叠层数将逐步增加。
这一进展显示出中国在半导体设备自主化道路上已取得显著成果，特别是在面对外部压力时，国内供应链的不断完善有助于提升产业韧性。
