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三星2nm工艺良率问题持续,量产推迟至2026年,决定从得州工厂撤出人员

据媒体报道,三星的2纳米工艺技术面临持续的良率问题,导致量产时间一再推迟,原定于2024年底的量产计划现已推迟至2026年。由于这一问题,三星决定从美国得州泰勒晶圆厂撤出大部分人员,仅保留最低限度的员工。

泰勒工厂原本计划作为4纳米及以下先进工艺的量产中心,但2纳米的良率始终低于50%,特别是与台积电的60%-70%良率相比,三星的表现受到质疑。据业内人士称,三星采用的全环绕栅极(GAA)工艺的良率仅在10%-20%之间,远不足以支持大规模生产或接单。

为解决这一问题,三星董事长李在镕近期亲自拜访了ASML和蔡司等关键设备供应商,希望能改善工艺和良率,但迄今为止尚未取得显著进展。

业内分析认为,三星的内部官僚主义、决策缓慢以及薪酬问题可能是其晶圆代工竞争力下降的主要原因之一。此外,投资时机延迟和市场应对能力不足也进一步影响了三星在先进工艺领域的表现。

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