半导体巨头英飞凌科技近日宣布，公司成功研发出全球首款300毫米（约12英寸）功率氮化镓（GaN）晶圆技术。与现有的200毫米晶圆相比，300毫米晶圆技术显著提升了生产效率和规模经济，每个晶圆的芯片产量增加至2.3倍，从而有效降低生产成本。
氮化镓功率半导体因其高效、尺寸小、重量轻等优点，已广泛应用于工业、汽车、消费电子、计算和通信领域。此次技术进步将进一步推动GaN技术的应用，提升其经济效益。
英飞凌将在2024年11月的慕尼黑电子展上展示这一创新技术，目前已经在奥地利菲拉赫的工厂成功制造了300毫米GaN晶圆，并计划根据市场需求扩大产能。英飞凌首席执行官Jochen Hanebeck表示，此次技术突破展示了英飞凌在GaN和电源系统创新领域的领导地位，有望改变行业格局，释放氮化镓的巨大潜力。
