近日，国家电力投资集团宣布其旗下国电投核力创芯（无锡）科技有限公司成功交付了首批性能优化的氢离子注入芯片。这一里程碑标志着我国全面掌握了功率半导体高能氢离子注入的核心技术与工艺，补齐了我国半导体产业链中的关键一环，实现了该领域技术与装备的100%国产化。
氢离子注入是半导体晶圆制造中仅次于光刻的重要环节，广泛应用于集成电路、功率半导体及第三代半导体的制造。然而，过去该技术在高压功率芯片（如600V以上）制造方面严重依赖进口，制约了我国半导体产业的高端发展。
在面对外国技术和装备封锁的背景下，核力创芯用不到三年的时间，突破了多项技术壁垒，建立了我国首个结合核技术与半导体的交叉学科研发平台。其首批交付的芯片产品经过了近1万小时的工艺与可靠性测试，技术指标已达到国际先进水平，受到用户的高度评价。
